GeneSiC Semiconductor - MBRTA60035L

KEY Part #: K6475772

[5988unidades de stock]


    Número de peza:
    MBRTA60035L
    Fabricante:
    GeneSiC Semiconductor
    Descrición detallada:
    DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRTA60035L electronic components. MBRTA60035L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRTA60035L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA60035L Atributos do produto

    Número de peza : MBRTA60035L
    Fabricante : GeneSiC Semiconductor
    Descrición : DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Configuración do diodo : 1 Pair Common Cathode
    Tipo de diodo : Schottky
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 35V
    Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 300A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 600mV @ 300A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : -
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 3mA @ 35V
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
    Tipo de montaxe : Chassis Mount
    Paquete / Estuche : Three Tower
    Paquete de dispositivos de provedores : Three Tower
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