ES2DHE3_A/I Prezos (USD) [445255unidades de stock]
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- 6,400 pcs$0.07105
- Número de peza:
- ES2DHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,20ns SMB, UF Rect, SMD
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2DHE3_A/I electronic components. ES2DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2DHE3_A/I Atributos do produto
Número de peza :
ES2DHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 2A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
20ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
18pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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