Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

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Número de peza:
VS-1EFH02HM3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1EFH02HM3/I Atributos do produto

Número de peza : VS-1EFH02HM3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 930mV @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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