BAS21-HE3-08 Prezos (USD) [2064945unidades de stock]
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- Número de peza:
- BAS21-HE3-08
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA 50ns
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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BAS21-HE3-08 Atributos do produto
Número de peza :
BAS21-HE3-08
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 200mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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Pezas quentes
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- JAN1N1190
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- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
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- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
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- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
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- ER1D-TP
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