VS-GB150TH120N Prezos (USD) [205unidades de stock]
- 1 pcs$225.27883
- 12 pcs$178.28846
- Número de peza:
- VS-GB150TH120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays and Tiristores: SCRs ...
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VS-GB150TH120N Atributos do produto
Número de peza :
VS-GB150TH120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
300A
Potencia: máx :
1008W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 150A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivos de provedores :
Double INT-A-PAK
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Pezas quentes
- FS20R06XL4BOMA1
- FS50R07N2E4B11BOSA1
- DF400R07PE4R_B6
- FZ800R33KL2CB5NOSA1
- IRG5K75HH06E
- MIXA10WB1200TMH
- APT70GR120J
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