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- Número de peza:
- NTD4809NA-1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTD4809NA-1G electronic components. NTD4809NA-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4809NA-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD4809NA-1G Atributos do produto
Número de peza :
NTD4809NA-1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1456pF @ 12V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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