Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU6J-1E3/51

KEY Part #: K6541083

[12493unidades de stock]


    Número de peza:
    GBU6J-1E3/51
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU6J-1E3/51 Atributos do produto

    Número de peza : GBU6J-1E3/51
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Single Phase
    Tecnoloxía : Standard
    Tensión - Pico inverso (máximo) : 600V
    Actual - Media rectificada (Io) : 3.8A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 6A
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : 4-SIP, GBU
    Paquete de dispositivos de provedores : GBU

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