Toshiba Semiconductor and Storage - TRS12E65C,S1Q

KEY Part #: K6437279

TRS12E65C,S1Q Prezos (USD) [7633unidades de stock]

  • 1 pcs$5.66740
  • 10 pcs$5.10154

Número de peza:
TRS12E65C,S1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TRS12E65C,S1Q Atributos do produto

Número de peza : TRS12E65C,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
Actual - Media rectificada (Io) : 12A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 12A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 90µA @ 170V
Capacitancia @ Vr, F : 65pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220-2L
Temperatura de funcionamento: unión : 175°C (Max)

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