ON Semiconductor - NRVBM2H100T3G

KEY Part #: K6425362

NRVBM2H100T3G Prezos (USD) [255648unidades de stock]

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Número de peza:
NRVBM2H100T3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers AUTO STANDARD OF MBRM2H10
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVBM2H100T3G Atributos do produto

Número de peza : NRVBM2H100T3G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
Serie : POWERMITE®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 680mV @ 2A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 20µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-216AA
Paquete de dispositivos de provedores : Powermite
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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