NRVBM2H100T3G Prezos (USD) [255648unidades de stock]
- 1 pcs$0.14541
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- Número de peza:
- NRVBM2H100T3G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers AUTO STANDARD OF MBRM2H10
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NRVBM2H100T3G electronic components. NRVBM2H100T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NRVBM2H100T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NRVBM2H100T3G Atributos do produto
Número de peza :
NRVBM2H100T3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
Serie :
POWERMITE®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
680mV @ 2A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
20µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-216AA
Paquete de dispositivos de provedores :
Powermite
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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