Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ333-TR3

KEY Part #: K6440073

BAQ333-TR3 Prezos (USD) [2200504unidades de stock]

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Número de peza:
BAQ333-TR3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GP 30V 200MA MICROMELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ333-TR3 Atributos do produto

Número de peza : BAQ333-TR3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GP 30V 200MA MICROMELF
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 30V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 100mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1nA @ 15V
Capacitancia @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 2-SMD, No Lead
Paquete de dispositivos de provedores : MicroMELF
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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