S29GL512S10DHSS10 Prezos (USD) [16028unidades de stock]
- 1 pcs$2.85887
- Número de peza:
- S29GL512S10DHSS10
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor Corp
- Descrición detallada:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Lineal: procesamento de vídeos, Adquisición de datos - Front End analóxico (AFE), Incrustado: CPLDs (Dispositivos lóxicos programabl, Interfaz: Interfaces de sensores e detectores, Lineal - Multiplicadores analóxicos, divisores, Interface - Terminadores de sinal, Interface - CODECs and PMIC - Interruptores de distribución de enerxía, c ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10DHSS10 electronic components. S29GL512S10DHSS10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10DHSS10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10DHSS10 Atributos do produto
Número de peza :
S29GL512S10DHSS10
Fabricante :
Cypress Semiconductor Corp
Descrición :
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
Serie :
GL-S
Estado da parte :
Active
Tipo de memoria :
Non-Volatile
Formato de memoria :
FLASH
Tecnoloxía :
FLASH - NOR
Tamaño da memoria :
512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo :
-
Cycle Time - Word, páx :
60ns
Tempo de acceso :
100ns
Interface de memoria :
Parallel
Tensión - subministración :
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operación :
0°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
64-LBGA
Paquete de dispositivos de provedores :
64-FBGA (9x9)
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Pezas quentes
- AT24C1024W-10SU-2.7-T
- MT28F800B5SG-8 T
- AT49F001AN-55JI
- AT25320A-10PI-1.8
- CY7C056V-15AC
- AT93C56W-10SI
- AT27LV520-90SI
- AT24C64-10PC-1.8
- NM93C06LM8
- NM24C04EM8
- 7006L25JI8
- 24AA08H-I/S16K
- S99FL132KMM43
- S25FL164K0XMFV011
- S25FL164K0XMFIS11
- MT47H32M16U67A3WC1
- MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
- IDT71256SA15PZ
- 7006L20J
- MT44K16M36RB-093E IT:A TR
- MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
- AT45DB642D-CNU
- TC58NVG3S0FTA00
- M25P16-VMC6TG TR
- CY7C1461SV33-133AXI
- CY7C09289V-9AC
- RC48F4400P0VB0EJ
- CY7C1515KV18-333BZI
- CY7C0852AV-133BBC
- CAT24C16WI-G
- IDT71V016SA20PHI
- MT46V128M4FN-5B:D TR
- AT27C020-55TU
- CY7C1412BV18-200BZXC
- M95320-MN3/B
- AT26DF161A-SSU
- IS61C1024AL-12TI-TR
- IS42S16400D-7BLI-TR
- S25FL256SAGNFV000
- S25FL256SDSMFBG03