Número de peza :
NHPM120T3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 200V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-216AA
Paquete de dispositivos de provedores :
Powermite
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C