Vishay Siliconix - SQJ912AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6523102

SQJ912AEP-T1_GE3 Prezos (USD) [152759unidades de stock]

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Número de peza:
SQJ912AEP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ912AEP-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQJ912AEP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1835pF @ 20V
Potencia: máx : 48W
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8 Dual

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