Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-G3-18

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Número de peza:
BAS21-G3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21-G3-18 Atributos do produto

Número de peza : BAS21-G3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 200mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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