Renesas Electronics America - RMLV0816BGSB-4S2#HA0

KEY Part #: K936838

RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Prezos (USD) [15176unidades de stock]

  • 1 pcs$3.01935

Número de peza:
RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrición detallada:
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP. SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Xestión da batería, Incrustado: FPGAs (Array Gate Gate Programable), Interface: gravación e reprodución de voz, Interface - Telecom, Lóxica: xeradores e verificadores de paridade, Interface - Módulos, Memoria - Baterías and Lóxica: portas e inversores ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Renesas Electronics America RMLV0816BGSB-4S2#HA0 electronic components. RMLV0816BGSB-4S2#HA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMLV0816BGSB-4S2#HA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Atributos do produto

Número de peza : RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrición : IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : SRAM
Tecnoloxía : SRAM
Tamaño da memoria : 8Mb (512K x 16)
Frecuencia do reloxo : -
Cycle Time - Word, páx : 45ns
Tempo de acceso : 45ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 2.4V ~ 3.6V
Temperatura de operación : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 44-TSOP II

Tamén pode estar interesado
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16