STB80NF03L-04-1 Prezos (USD) [22265unidades de stock]
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- 10 pcs$1.65439
- 100 pcs$1.35652
- Número de peza:
- STB80NF03L-04-1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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STB80NF03L-04-1 Atributos do produto
Número de peza :
STB80NF03L-04-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Serie :
STripFET™ II
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
110nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-60°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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