Número de peza :
EGL34G/51
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
400V
Actual - Media rectificada (Io) :
500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.35V @ 500mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C