Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34G/51

KEY Part #: K6425821

EGL34G/51 Prezos (USD) [789742unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04942
  • 8,000 pcs$0.04918

Número de peza:
EGL34G/51
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34G/51 electronic components. EGL34G/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34G/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34G/51 Atributos do produto

Número de peza : EGL34G/51
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.35V @ 500mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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