IXTF6N200P3 Prezos (USD) [4331unidades de stock]
- 1 pcs$10.00265
- Número de peza:
- IXTF6N200P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTF6N200P3 Atributos do produto
Número de peza :
IXTF6N200P3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH
Serie :
Polar™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
2000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
143nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3700pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
215W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ISOPLUS i4-PAC™
Paquete / Estuche :
ISOPLUSi5-Pak™
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