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- Número de peza:
- FDI2532
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDI2532 electronic components. FDI2532 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI2532, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDI2532 Atributos do produto
Número de peza :
FDI2532
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Ta), 79A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5870pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
310W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK (TO-262)
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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