Número de peza :
APTMC120HM17CT3AG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MODULE - SIC MOSFET
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 30mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
332nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5576pF @ 1000V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3