IXFX100N65X2 Prezos (USD) [7203unidades de stock]
- 1 pcs$6.29320
- 10 pcs$5.72029
- 100 pcs$4.86224
- 500 pcs$4.14721
- Número de peza:
- IXFX100N65X2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFX100N65X2 Atributos do produto
Número de peza :
IXFX100N65X2
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
11300pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1040W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PLUS247™-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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