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- Número de peza:
- IRFD113
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFD113 electronic components. IRFD113 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD113, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFD113 Atributos do produto
Número de peza :
IRFD113
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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