ON Semiconductor - ISL9R18120G2

KEY Part #: K6441630

ISL9R18120G2 Prezos (USD) [26720unidades de stock]

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Número de peza:
ISL9R18120G2
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R18120G2 electronic components. ISL9R18120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R18120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R18120G2 Atributos do produto

Número de peza : ISL9R18120G2
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
Serie : Stealth™
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 18A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 3.3V @ 18A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 70ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-2
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247-2
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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