Comchip Technology - 1N4006B-G

KEY Part #: K6443460

1N4006B-G Prezos (USD) [2793351unidades de stock]

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  • 1,000 pcs$0.01390

Número de peza:
1N4006B-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006B-G Atributos do produto

Número de peza : 1N4006B-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrición : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 800V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-204AL, DO-41, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-41
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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