CSD23381F4T Prezos (USD) [612210unidades de stock]
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- 1,250 pcs$0.02658
- Número de peza:
- CSD23381F4T
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
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CSD23381F4T Atributos do produto
Número de peza :
CSD23381F4T
Fabricante :
Texas Instruments
Descrición :
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
Serie :
FemtoFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1.14nC @ 6V
Vgs (máximo) :
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
236pF @ 6V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-PICOSTAR
Paquete / Estuche :
3-XFDFN
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