RFV12TG6SGC9 Prezos (USD) [59189unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.27408
- 5,000 pcs$0.26038
- Número de peza:
- RFV12TG6SGC9
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 12A Io Recovery Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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RFV12TG6SGC9 Atributos do produto
Número de peza :
RFV12TG6SGC9
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
12A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.8V @ 12A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
45ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220ACFP
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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