Vishay Siliconix - SI7223DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523024

SI7223DN-T1-GE3 Prezos (USD) [211203unidades de stock]

  • 1 pcs$0.17513

Número de peza:
SI7223DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Finalidade especial ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7223DN-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI7223DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Serie : TrenchFET® Gen III
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.4 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1425pF @ 15V
Potencia: máx : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8 Dual

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