Vishay Semiconductor Diodes Division - V35PWM12-M3/I

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Número de peza:
V35PWM12-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV)35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V35PWM12-M3/I Atributos do produto

Número de peza : V35PWM12-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK
Serie : eSMP®, TMBS®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 120V
Actual - Media rectificada (Io) : 35A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.05V @ 35A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1.2mA @ 120V
Capacitancia @ Vr, F : 2080pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : SlimDPAK
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 175°C

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