IRFB38N20DPBF Prezos (USD) [39965unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFB38N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFB38N20DPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFB38N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
43A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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