Infineon Technologies - BAS3010A03WE6327HTSA1

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Número de peza:
BAS3010A03WE6327HTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2. Schottky Diodes & Rectifiers Medium Power IF Diode
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS3010A03WE6327HTSA1 Atributos do produto

Número de peza : BAS3010A03WE6327HTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 30V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 470mV @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 200µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F : 35pF @ 5V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivos de provedores : PG-SOD323-2
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 125°C

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