Infineon Technologies - IDW20G65C5BXKSA1

KEY Part #: K6475683

[6017unidades de stock]


    Número de peza:
    IDW20G65C5BXKSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IDW20G65C5BXKSA1 electronic components. IDW20G65C5BXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW20G65C5BXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDW20G65C5BXKSA1 Atributos do produto

    Número de peza : IDW20G65C5BXKSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3
    Serie : CoolSiC™
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Configuración do diodo : 1 Pair Common Cathode
    Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
    Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 10A (DC)
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 10A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : -
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 180µA @ 650V
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : TO-247-3
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO247-3

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