BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Prezos (USD) [815unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSM35GD120DLCE3224BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Full Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
70A
Potencia: máx :
280W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 35A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
80µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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