FDFMA2N028Z Prezos (USD) [315918unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDFMA2N028Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFMA2N028Z electronic components. FDFMA2N028Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA2N028Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFMA2N028Z Atributos do produto
Número de peza :
FDFMA2N028Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
455pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.4W (Tj)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad
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