VB20120SG-M3/4W Prezos (USD) [167210unidades de stock]
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- Número de peza:
- VB20120SG-M3/4W
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VB20120SG-M3/4W electronic components. VB20120SG-M3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VB20120SG-M3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VB20120SG-M3/4W Atributos do produto
Número de peza :
VB20120SG-M3/4W
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
120V
Actual - Media rectificada (Io) :
20A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.33V @ 20A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
250µA @ 120V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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