Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16JT-E3/81

KEY Part #: K6456275

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Número de peza:
FESB16JT-E3/81
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16JT-E3/81 Atributos do produto

Número de peza : FESB16JT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 16A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.5V @ 16A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 150°C

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