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- Número de peza:
- IXFN38N100Q2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN38N100Q2 electronic components. IXFN38N100Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN38N100Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN38N100Q2 Atributos do produto
Número de peza :
IXFN38N100Q2
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
38A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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