Infineon Technologies - DF200R12PT4B6BOSA1

KEY Part #: K6534172

DF200R12PT4B6BOSA1 Prezos (USD) [505unidades de stock]

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Número de peza:
DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12PT4B6BOSA1 Atributos do produto

Número de peza : DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 300A
Potencia: máx : 1100W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 15µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module