Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Circuítos Integrados (ICs)
  4. Memoria
  5. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

KEY Part #: K936827

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Prezos (USD) [15176unidades de stock]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,000 pcs$3.01935
Número de peza:
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: PMIC - Xestión da batería, Interfaz: Sensor, tacto capacitivo, Propósito especial do audio, PMIC - Controladores de intercambio en quente, PMIC - Iluminación, controladores de lastre, PMIC - Convertidores de corrente alterna, conmutad, Interface - CODECs and Adquisición de datos - Front End analóxico (AFE) ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR electronic components. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AUT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Atributos do produto

Número de peza : MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Estado da parte : Last Time Buy
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo : 400MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 400ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 84-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 84-FBGA (8x12.5)

Últimas novas

Micron NAND-Based MCP
Micron LPDRAM
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND Flash
Tamén pode estar interesado
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

Pezas quentes