GeneSiC Semiconductor - GAP3SLT33-220FP

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Número de peza:
GAP3SLT33-220FP
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GAP3SLT33-220FP Atributos do produto

Número de peza : GAP3SLT33-220FP
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 3300V
Actual - Media rectificada (Io) : 300mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 300mA
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 3300V
Capacitancia @ Vr, F : 42pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2 Full Pack
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220FP
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C
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