ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16320C-6BL

KEY Part #: K936868

IS43LR16320C-6BL Prezos (USD) [15300unidades de stock]

  • 1 pcs$3.97422
  • 300 pcs$3.95445

Número de peza:
IS43LR16320C-6BL
Fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición detallada:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Memoria - Baterías, PMIC - Reguladores de tensión - Lineal + de conmut, Lóxica: contadores, divisores, Lóxica: xeradores e verificadores de paridade, Interface - Síntese dixital directa (DDS), Interface - Terminadores de sinal, Interface: Buffers de sinal, repetidores, divisore and Lineal: procesamento de vídeos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL electronic components. IS43LR16320C-6BL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR16320C-6BL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR16320C-6BL Atributos do produto

Número de peza : IS43LR16320C-6BL
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrición : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño da memoria : 512Mb (32M x 16)
Frecuencia do reloxo : 166MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 5.5ns
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operación : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-TFBGA (8x10)

Tamén pode estar interesado
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16