Número de peza :
SIHP12N60E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
937pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
147W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3