DD800S17H4B2BOSA2 Prezos (USD) [110unidades de stock]
- 1 pcs$417.25024
- Número de peza:
- DD800S17H4B2BOSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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DD800S17H4B2BOSA2 Atributos do produto
Número de peza :
DD800S17H4B2BOSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
2 Independent
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1700V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
-
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.1V @ 800A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
900A @ 900V
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
AG-IHMB130-1
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