DMNH10H028SPSQ-13 Prezos (USD) [88803unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMNH10H028SPSQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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DMNH10H028SPSQ-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMNH10H028SPSQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2245pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI5060-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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