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- Número de peza:
- BSM75GB170DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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BSM75GB170DN2HOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSM75GB170DN2HOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
110A
Potencia: máx :
625W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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