IDW40G120C5BFKSA1 Prezos (USD) [2709unidades de stock]
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- 10 pcs$13.37408
- 100 pcs$11.42048
- Número de peza:
- IDW40G120C5BFKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDW40G120C5BFKSA1 electronic components. IDW40G120C5BFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW40G120C5BFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDW40G120C5BFKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDW40G120C5BFKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
55A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.65V @ 20A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
166µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
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