SQ4961EY-T1_GE3 Prezos (USD) [118801unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQ4961EY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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SQ4961EY-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQ4961EY-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1140pF @ 25V
Potencia: máx :
3.3W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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