IDC51D120T6MX1SA3 Prezos (USD) [12304unidades de stock]
- 1 pcs$3.34932
- Número de peza:
- IDC51D120T6MX1SA3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3 electronic components. IDC51D120T6MX1SA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC51D120T6MX1SA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC51D120T6MX1SA3 Atributos do produto
Número de peza :
IDC51D120T6MX1SA3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
100A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.05V @ 100A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
18µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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