Vishay Semiconductor Diodes Division - S07M-GS18

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Número de peza:
S07M-GS18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 1000 Volt 1.8uS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S07M-GS18 Atributos do produto

Número de peza : S07M-GS18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1000V
Actual - Media rectificada (Io) : 700mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.8µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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