Número de peza :
SF2008GHC0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
20A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C