MBR600200CTR Prezos (USD) [729unidades de stock]
- 1 pcs$63.61256
- 25 pcs$37.09736
- Número de peza:
- MBR600200CTR
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR600200CTR Atributos do produto
Número de peza :
MBR600200CTR
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
1 Pair Common Anode
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
920mV @ 300A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3mA @ 200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Twin Tower
Paquete de dispositivos de provedores :
Twin Tower
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- F1892CAD600
- MMBD4148TW-7
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- 80CNQ045ASM
- VS-85CNQ015ASLPBF
- IRKC236/04
- VSKDL450-25S20
- VSKCL240-25S30
- 82CNQ030A
- FEP16GT-E3/45
- UGB18ACT-E3/81
- BAT74,235
- BAS16SH6727XTSA1